国内这家存储芯片设计企业，开启上市申购
近日，联芸科技（杭州）股份有限公司（以下简称“联芸科技”）披露招股意向书，公司拟公开发行1亿股，发行股份占公司发行后总股本的比例为21.74%。
三星2nm工艺EUV层数相比3nm将增加30%
与3nm工艺相比，三星2nm工艺节点的EUV层数将增加30%，这意味着芯片可容纳更多电路，目前该公司3nm工艺节点有20个EUV层。
英特尔将在爱尔兰工厂大批量生产3nm芯片
据外媒报道，英特尔确认将于今年晚些时候在其位于爱尔兰莱克斯利普的Fab 34量产3nm芯片。
SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍
据消息，SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
富乐德传感：融合日系匠心与中式效率，深耕热敏电阻赛道
应用领域聚焦于汽车、医疗、家电和储能四大行业。陈一郎特别提到对中国市场在新能源汽车、AI智能驱动的光通信以及智能工业领域的增长充满信心。
株洲中车8英寸SiC产线年底通线
日前，株洲中车董事长、执行董事李东林在投资者活动中透露，株洲三期于2024年11月份启动建设，2025年5月主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉通，该项目为8英寸SiC晶圆。
台积电拟赴美投资千亿美元
据台媒报道，台积电于3月4日宣布，计划在美国投资1000亿美元（约合人民币7281.2亿元），打造3座晶圆厂、2座封测厂以及1间主要研发团队中心。这一计划将与目前正在亚利桑那州凤凰城进行的650亿美元投资项目相结合，从而使台积电在美国的总投资规模达到1650亿美元。
台积电3nm家族最新进度：N3E已有多家大客户采用 N3P已完成认证
台积电日前分享了公司3nm（N3）家族最新进度。其中，N3E已按计划于去年第四季开始量产，目前N3E已有多家大客户采用；N3P制程计划今年下半年量产，已完成认证，良率表现已接近N3E。
日月光Q1营收超1300亿元新台币 创同期次高
日月光投控4月9日公布3月合并营收456.61亿元新台币（单位下同），较2月环比增长14.9%，较去年同期下滑0.2%。
