麦斯克电子8英寸硅外延片项目正进行设备调试
据洛阳融媒报道，近日，位于涧西区的麦斯克电子年产360万片8英寸硅外延片项目加快推进，目前，设备已安装完成，正在进行调试工作。
全球两大存储厂新动作
AI浪潮之下，高容量、高性能的HBM正是存储行业当下火热的“明星”技术，受下游驱动，HBM市况正供不应求，产值持续攀升，存储原厂纷纷加强布局。
斯达半导取得功率模块专利，增强功率半导体模块的使用寿命
5月31日消息，据国家知识产权局公告，斯达半导体股份有限公司取得一项名为“一种具有银浆烧结层的功率模块”，授权公告号CN221057406U，申请日期为2023年9月。
英特尔与新思科技深化合作，提供基于英特尔先进制程节点的领先IP
英特尔表示，IFS是英特尔IDM 2.0战略的关键支柱，与新思科技的合作无疑是实现IDM 2.0转型目标的重要里程碑，将有助于芯片设计公司充分利用Intel 3和Intel 18A制程节点的优势
美方宣布对华加征关税，多方回应
日前，美国拜登政府宣布对华加征301关税四年期复审结果，在原有对华301关税基础上，进一步提高对自华进口的电动汽车、锂电池、光伏电池、关键矿产、半导体以及钢铝、港口起重机、个人防护装备等产品的加征关税。
阿斯麦Hyper-NA EUV售价或超7.24亿美元
近日，据朝鲜日报报道，阿斯麦（ASML）将针对1纳米以下制程，计划在2030年推出更先进Hyper-NA EUV光刻机设备，但可能超过7.24亿美元一台的售价会让台积电、三星、英特尔等半导体晶圆代工厂商望而却步。
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
台亚宣布分割8英寸GaN产品事业群
5月28日，台亚半导体宣布经股东大会决议，通过了此前提出的8英寸GaN（氮化镓）业务分割计划，并由子公司冠亚半导体承接该业务。同时，台亚总经理衣冠君将转任冠亚半导体总经理，负责台亚集团未来8英寸GaN产品相关业务。
三星公布新工艺节点，2nm工艺SF2Z将于2027年大规模生产
据韩媒报道，当地时间6月12日，三星电子在美国硅谷举办“三星晶圆代工论坛2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圆代工技术战略。
