5月22日，SK 海力士宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。
SK海力士表示，随着端侧AI的需求持续增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键，超薄设计和低功耗特性已成为移动设备的行业标准。顺应这一趋势，公司此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%，同时产品厚度从1mm减薄至0.85mm，使其能够适配超薄智能手机。
此外，该产品支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入*速度，相较上一代产品分别提升了15%与40%，达到现存UFS 4.1产品中全球领先水平。
通过该方式，能够实时提供对端侧AI所需的数据，显著提升应用程序的运行效率与响应速度，从而有效增强用户的实际性能体验。
据了解，该产品提供512GB（千兆字节）和1TB（太字节）两种容量规格。SK海力士计划于今年内向客户交付样品以进行验证流程，并将于明年第一季度正式进入量产阶段。
