根据Yole Group（法国知名市场研究机构）的权威测算，2024年中国在全球DRAM市场中将占据26%的份额，对应市场价值约250亿美元；在NAND闪存市场中，中国的份额进一步提升至33%，市场价值约220亿美元。值得注意的是，在这两大品类中，NAND闪存是中国占比最高的半导体存储器细分领域，成为拉动中国市场份额增长的关键动力。

若将DRAM与NAND闪存的全球市场价值进行汇总，2024年两者合计规模达1650亿美元。其中，中国市场贡献了470亿美元，占全球总量的28.5%。考虑到DRAM和NAND闪存合计占据全球半导体存储器市场97%的份额，这一数据足以证明：2024年中国半导体存储器市场的整体占比已接近30%，成为全球市场中不可或缺的重要组成部分。

主要供应商销售占比：国际厂商依赖度有限，本土企业聚焦内需

Yole Group同时针对2024年全球主要DRAM和NAND闪存供应商在中国市场的销售额占比展开分析，结果呈现出鲜明的“国际与本土分化”特征。

在DRAM领域，全球三大头部厂商——三星电子（韩国）、SK海力士（韩国）和美光科技（美国）主导了中国市场的销售格局。其中，三星电子在中国市场的销售额占比最高，但即便如此，其占比也仅约30%，并未形成绝对垄断优势；SK海力士紧随其后，美光科技位列第三，两者的占比均低于三星。与国际厂商不同的是，中国本土DRAM企业的产品销售呈现出100%聚焦国内市场的特点，所有DRAM产品均供应中国本土需求，凸显出本土企业对国内市场的深度依赖与支撑。

在NAND闪存领域，市场格局同样值得关注。全球六大NAND闪存厂商（含国际头部企业与本土代表企业）合计占据中国NAND闪存市场约25%的份额。与本土DRAM企业一致，中国本土NAND闪存厂商也将全部产品投向国内市场，进一步强化了中国本土供应链对国内NAND闪存需求的保障能力。这种“本土生产、本土销售”的模式，既降低了国际供应链波动对中国市场的影响，也为本土企业积累技术与产能提供了稳定的市场基础。

区域供需与生产格局：中国需求缺口显著，亚洲其他地区成供应核心

从全球主要地区的晶圆加工量（半导体存储器生产的核心环节）来看，2024年半导体存储器市场的供需平衡呈现出明显的区域差异。其中，中国和美国两大市场的需求（以晶圆加工需求衡量）均超过了本地供应能力，存在一定的供需缺口，需要依赖外部市场的产品输入来满足本土需求。

与之形成对比的是，亚洲其他国家和地区（包括日本、韩国、中国台湾地区及新加坡，不含中国大陆）呈现出“供应过剩”的态势——这些地区的晶圆加工供应能力远超本地需求，成为全球DRAM和NAND闪存的核心供应基地。这一格局的形成，与韩国、中国台湾地区等在半导体制造领域的长期技术积累和产能布局密切相关，其工厂不仅满足本地需求，更承担着全球半导体存储器供应的重要角色。

从“工厂所在地”维度统计的全球半导体存储器生产比例来看，2024年韩国以45%的占比位居第一，是全球最大的半导体存储器生产国；中国以24%的占比位列第二，生产规模仅次于韩国；日本（16%）、中国台湾地区（10%）、新加坡（4%）和美国（2%）依次排在其后。值得注意的是，尽管中国的生产比例已位居全球第二，但由于国内市场需求旺盛，中国仍是半导体存储器的净需求方，本地生产无法完全满足自身需求，这也为国际厂商与本土企业的合作提供了广阔空间。

资本投资趋势（2020-2024）：三星领跑投资，中国本土企业加速布局

资本投资是半导体存储器行业技术迭代与产能扩张的核心驱动力。2020-2024年期间，全球半导体存储器企业的资本投资呈现出“头部集中、本土崛起”的趋势。

从国际厂商来看，三星电子作为全球半导体存储器领域的龙头企业，在2020-2024年期间的资本投资额始终位居全球第一，凭借大规模的投资持续巩固其技术与产能优势。SK海力士和美光科技的投资额相对接近，约为三星电子的一半，两者通过稳定的投资维持在全球市场的核心竞争力。而专注于NAND闪存领域的铠侠-闪迪联盟（日本铠侠与美国闪迪合作）则采取了差异化策略，计划在2023-2024年期间控制资本投资规模，更侧重于现有产能的效率优化与技术升级。

在本土企业中，中国半导体存储器厂商的投资动态尤为引人注目。专注于NAND闪存的长江存储（中国本土NAND闪存龙头企业）在2020-2024年期间持续加大资本投资，通过产能扩张和技术研发，不断提升在全球NAND闪存市场的份额。更值得关注的是中国DRAM制造商（原文中“长江存储”应为笔误，长江存储主营NAND闪存，此处应为中国本土DRAM代表企业，如长鑫存储），该企业计划在2024年大幅增加资本投资，这一举措不仅将推动中国本土DRAM产能的快速提升，也有望进一步打破国际厂商在DRAM领域的垄断格局，为中国半导体存储器产业的全面发展注入新动能。

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