Arm计划五年内获得50％的PC市场份额
Arm CEO Rene Haas表示，该公司旨在五年内赢得超过50%的Windows PC市场份额，与此同时，微软及其硬件合作伙伴正准备推出一批基于Arm技术的新电脑。在COMPUTEX台北国际电脑展上，Rene Haas预计到2025年底全球将有1000亿台Arm设备为人工智能（AI）做好准备。
日本Rapidus拟建全自动2nm芯片工厂，大幅提升交付速度
据外媒报道，日本Rapidus正致力于在日本北部打造一座前所未有的芯片工厂。Rapidus总裁小池淳义表示，该工厂计划引入机器人和人工智能技术，以构建一条全自动化的2nm芯片生产线，旨在满足日益增长的先进人工智能应用需求，缩短交货时间。
华海诚科拟全资收购华威电子
大半导体产业网消息，华海诚科11月11日发布晚间公告称，公司正筹划通过现金及发行股份相结合的方式，购买衡所华威电子有限公司（以下简称“华威电子”）100%的股权同时募集配套资金。
TCL科技拟收购深圳华星半导体21.53%股权
据消息，3月3日，TCL科技集团股份有限公司发布公告称，拟通过发行股份及支付现金的方式购买深圳市重大产业发展一期基金有限公司持有的深圳华星半导体显示技术有限公司21.5311%股权，并募集配套资金。
三星电子将对越南投资追加到每年10亿美元
三星电子总裁兼首席财务官Park Hak-kyu（朴学奎）于5月9日在河内与越南总理范明政会面。
闻泰科技拟出售ODM业务相关资产
据消息，闻泰科技12月30日发布晚间公告称，公司已与立讯有限公司签署了《出售意向协议》，拟将公司及控股子公司拥有的9家标的公司股权和标的经营资产转让给立讯有限或其指定方。本次交易拟采用现金方式，不涉及发行股份。
SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍
据消息，SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
新易盛官宣掌握 CPO 晶圆级封装核心工艺
近日，全球高速光模块龙头企业新易盛（300502.SZ）在深交所投资者关系互动平台，就投资者集中关注的下一代光互联技术布局、核心产品研发进展、供应链保障能力与订单情况三大核心问题作出官方回应。其中，公司首次明确官宣已具备 CPO 晶圆级需要的封装工艺技术条件，同时披露关键原材料已完成前瞻性备货、当前在手订单充足，全面回应了市场对公司技术壁垒与 2026 年业绩可持续性的核心关切。作为全球光模块市场
Marvell与亚马逊AWS达成五年期合作协议
自美满科技（Marvell Technology）官网获悉，当地时间12月2日，Marvell宣布，将通过一项为期五年的跨多代产品协议，扩大与亚马逊网络服务（AWS）的战略合作关系。
英特尔将在爱尔兰工厂大批量生产3nm芯片
据外媒报道，英特尔确认将于今年晚些时候在其位于爱尔兰莱克斯利普的Fab 34量产3nm芯片。
连橙时代半导体芯片、模组研发生产基地及企业总部项目签约
据消息，7月5日，宁乡高新区在长沙举行连橙时代半导体芯片、模组研发生产基地及企业总部项目签约仪式。
国内这家存储芯片设计企业，开启上市申购
近日，联芸科技（杭州）股份有限公司（以下简称“联芸科技”）披露招股意向书，公司拟公开发行1亿股，发行股份占公司发行后总股本的比例为21.74%。
台积电拟赴美投资千亿美元
据台媒报道，台积电于3月4日宣布，计划在美国投资1000亿美元（约合人民币7281.2亿元），打造3座晶圆厂、2座封测厂以及1间主要研发团队中心。这一计划将与目前正在亚利桑那州凤凰城进行的650亿美元投资项目相结合，从而使台积电在美国的总投资规模达到1650亿美元。
纳芯微拟收购上海麦歌恩微电子部分股权
6月23日晚间，纳芯微（688052 ）披露公告称，公司拟收购上海麦歌恩微电子股份有限公司部分股权。
台积电3nm家族最新进度：N3E已有多家大客户采用 N3P已完成认证
台积电日前分享了公司3nm（N3）家族最新进度。其中，N3E已按计划于去年第四季开始量产，目前N3E已有多家大客户采用；N3P制程计划今年下半年量产，已完成认证，良率表现已接近N3E。
SK海力士Q1合同负债增超61亿元
据消息，据SK海力士今日最新提交的季度报告显示，截至今年第一季度末，SK海力士预付款和合同负债分别达到561亿韩元和27459亿韩元，其中，合同负债仅一个季度就增加了超过1.16万亿韩元（约合61.79亿元人民币）。业内认为，合同债务增加主要是因为SK海力士从英伟达等主要客户那里收到了额外预付款。
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm
5月29日，科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报，自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶。
