台亚宣布分割8英寸GaN产品事业群

5月28日,台亚半导体宣布经股东大会决议,通过了此前提出的8英寸GaN(氮化镓)业务分割计划,并由子公司冠亚半导体承接该业务。同时,台亚总经理衣冠君将转任冠亚半导体总经理,负责台亚集团未来8英寸GaN产品相关业务。

消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出

据韩媒报道,根据其掌握的三星半导体存储路线图,三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400,而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。

紫光展锐完成新一轮股权融资

据悉,记者从参与紫光展锐新一轮股权融资的知情人士处获悉,紫光展锐董事会已表决通过股权融资决议,宣告新一轮股权融资完成。据悉,本轮融资金额超过40亿元,投资方有上海、北京两地国资平台,工银资本管理有限公司、交银金融资产投资有限公司、人保资本股权投资有限公司等金融机构以及中信建投、国泰君安、弘毅投资。​

日月光与Ainos合作,将AI气味数字化技术应用于半导体制造

自日月光官网获悉,3月12日,日月光半导体(ASE)宣布与AI驱动的气味数字化领导厂商Ainos展开策略合作,运用Ainos专利的AINose技术分析空气中的化学成分(Smell IDs),提升制程效率、环境安全性,并确保符合ESG规范,进而颠覆传统半导体制造模式。

睿众博芯总部项目正式运营

据“江宁发布”公众号消息,日前,南京睿众博芯微电子技术有限公司(简称“睿众博芯”)在江宁开发区九龙湖国际企业总部园正式运营。

5月韩国存储芯片同比锐减53.1%

据韩联社报道,韩国科学技术信息通信部14日公布的数据显示,ICT产品出口额已连续11个月下降,今年5月的出口额更是较去年同期暴跌28.5%

诺思与博通达成全面和解及专利交叉许可

自诺思微系统官微获悉,7月3日,诺思发布声明称:诺思(天津)微系统有限责任公司与美国安华高科技股份有限公司(博通)已就双方全部争议达成和解。双方已撤回并终结针对对方或其关联公司及客户的诉讼,并就双方某些中国专利达成交叉许可