同光半导体8英寸碳化硅单晶衬底项目开工
据消息，2月11日，河北同光半导体股份有限公司国家企业技术中心揭牌暨年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目启动仪式，在保定国家高新技术产业开发区举行。
瀚天天成8英寸碳化硅外延晶片厂房建设完成
据厦门自贸区官微消息，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司（以下简称“瀚天天成”）董事长赵建辉透露，公司的8英寸碳化硅外延晶片厂房已完成建设，正处于设备购置阶段。“得益于AIC基金的支持，我们第一时间开启了与设备供应商的谈判，预计本月能完成下单采购。”
投资约30亿元，高可靠性高功率半导体器件集成电路IDM项目签约宜兴
据消息，7月16日，总投资约30亿元的高可靠性高功率半导体器件集成电路IDM项目在宜正式签约。
美光收购友达台南厂房，用于前段晶圆测试
8月27日，友达光电发布公告称，为聚焦营运策略，活化资产及优化财务结构，将位于台南市安南区科工段的土地和坪建物卖予美光，总金额74亿元新台币（约合人民币16.51亿元）。
美国芯片项目基金申请公司数量破300家，过半涉及芯片制造及后端封装
负责相关事务的美国商务部表示，截至本周，芯片项目办公室（CHIPS Program Office）已收到超过300份意向书
日月光先进封测营收今年翻倍
近日，日月光半导体公布的2024财年第三季度财报显示，公司实现营业收入1601.05亿新台币，同比增长4%；净利润为96.66亿新台币，同比增加10%；稀释后每股收益为2.17新台币元，基本每股收益为2.24新台币元。
爱普特先进封测项目签约张家港
据消息，5月18日，张家港高新区和深圳市爱普特微电子有限公司举行爱普特微电子芯片封测基地项目签约仪式。
SK海力士大幅扩产第5代1b DRAM 以应对HBM及DDR5需求增加
据业内人士透露，SK海力士正在扩产其第5代1b DRAM，以应对HBM及DDR5 DRAM需求增加。
消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出
据韩媒报道，根据其掌握的三星半导体存储路线图，三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400，而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。
负债约18亿元，面板厂商JOLED申请启动破产重整程序
由当时索尼与松下有机EL面板研发部门合并成立的JOLED公司27日宣布，向东京地方法院申请启动称为“民事再生”的破产重整程序，并且已被受理
通富微电“多芯片封装方法”专利获授权
天眼查显示，通富微电子股份有限公司近日取得一项名为“多芯片封装方法”的专利，授权公告号为CN112490186B，授权公告日为2024年6月14日，申请日为2020年11月25日。
全洋光电金属掩膜板蚀刻线项目试产
全洋光电金属掩膜板蚀刻线项目成功试产，标志着金属掩膜板生产实现了全部国产化，这是国内首条全制程产线
传谷歌明年新机Pixel 10将采用台积电3nm SoC
去年有消息称，三星代工厂已获得制造谷歌新款智能手机AP（应用处理器）Tensor G4的订单，该芯片将用于今年发布的Pixel 9系列手机，这款新芯片将采用三星SF4P（第三代4nm）工艺制造。
总投资20亿元，路芯半导体掩膜版生产项目奠基开工
项目拟投资20亿元，占地面积74亩，建成后具备年产约35000片半导体掩膜版生产能力，技术节点达到28nm，可广泛应用于高性能计算、人工智能、移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车等众多产业涉及的集成电路半导体芯片制造、封装等领域
韩国6月半导体出口额同比增长11.6%达149.7亿美元 创历史新高
据韩国产业通商资源部（Ministry of Trade, Industry and Energy）7月1日公布的数据显示，2025年6月，韩国出口金额达598亿美元，较去年同期增加4.3%，逆转5月年减1.3%的走势，并创历史同月新高纪录。
