广东：大力推动刻蚀机等光芯片关键装备研发和国产化替代
据消息，广东省人民政府办公厅印发《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案(2024—2030年)》。
悉智科技首颗DCM封装8并SiC产品量产下线
据悉智科技官微消息，7月22日，苏州悉智科技有限公司（以下简称“悉智科技”）宣布，其首批车规级功率模块量产产品正式下线投产。
闻泰科技拟出售ODM业务相关资产
据消息，闻泰科技12月30日发布晚间公告称，公司已与立讯有限公司签署了《出售意向协议》，拟将公司及控股子公司拥有的9家标的公司股权和标的经营资产转让给立讯有限或其指定方。本次交易拟采用现金方式，不涉及发行股份。
英飞凌上季度营收36.32亿欧元环比跌2% 将对雷根斯堡工厂软裁员
英飞凌近日公布了截至3月31日的2024财年第二财季财报。英飞凌上季度实现36.32亿欧元营收，环比下降2%，同比下降12%。
东方晶源国产EOS实现在高端量测检测领域的应用
据介绍，电子束量测检测设备是芯片制造装备中除光刻机之外技术难度最高的设备类别之一，深度参与光刻环节、对制程节点敏感并且对最终产线良率起到至关重要的作用。
德国蔡司中国台湾首座创新中心即将启用
据消息，6月12日，蔡司宣布其位于新竹科学园区，斥资超过3亿元新台币打造的首座台湾创新中心将于6月18日落成。
PI官宣收购Odyssey半导体资产
自Power Integrations (PI) 官网获悉，5月7日，PI宣布收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商奥德赛半导体技术公司(Odyssey)的资产。
台积电董事澄清：从未讨论过接手英特尔晶圆厂
据台媒报道，台积电董事刘镜清3月19日表示，台积电董事会从未讨论过接手英特尔代工部门的事。
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
台积电总裁魏哲家访ASML 引发联想外界猜测可能改变心意
台积电先前一再表示，艾司摩尔（ASML）的高数值孔径极紫外光机台（High-NA EUV），太过昂贵，2026年前使用没有太大的经济效益，但日前台积电总裁魏哲家密访ASML总部，让外界不禁猜测，台积电是否改变心意。
台积电3nm产能紧张导致IC设计公司涨价 高通Snapdragon 8 Gen 4较上一代报价激增25％
半导体业内人士表示，台积电3nm产能供不应求，上游IC设计公司开始传出涨价消息。供应链透露，高通Snapdragon 8 Gen 4以台积电N3E打造，较上一代报价激增25％，不排除引发后续涨价趋势。但业内也指出，涨价幅度合理，因为相较5nm，3nm每片晶圆成本价格大约就贵了25％，且这一涨幅还未考虑整体投片数量、设计架构等因素。
SK海力士定制HBM4基础裸片将从5nm升级至3nm
据韩媒报道，由于客户对先进存储器的需求，SK海力士打算改变原来的计划，以3nm取代5nm，采用更先进的工艺生产HBM4基础裸片，预计HBM4将在2025年下半年开始供货
新增50项？韩媒：韩国将扩大“关键战略技术清单”
据韩联社报道，韩国产业通商资源部于4月18日表示，韩国将把50项与材料、零部件和设备领域相关的先进技术列入国家“关键战略技术清单”，以培育能够获得卓越全球竞争力的企业
喆塔半导体AI创新总部落户光谷并启动
据喆塔科技官微消息，8月30日，喆塔科技半导体AI创新总部——喆塔智芯正式落户武汉光谷，并与东湖高新区管委会、光谷金控签署了三方合作协议。武汉喆塔智芯签约仪式暨喆塔科技半导体AI创新总部启动仪式在光谷隆重举行，标志着三方合作步入实质性阶段。
总投资20亿元，中宜创芯碳化硅半导体粉体产线项目一期达产
据消息，近日，河南中宜创芯发展有限公司碳化硅半导体粉体500吨生产线成功达产，已在国内二十多家企业和研究机构开展试用和验证。
华懋控股拟100%控股富创优越，聚焦半导体算力布局
华懋科技5月20日发布晚间公告称，公司正在筹划通过发行股份及支付现金的方式，购买富创优越、洇锐科技、富创壹号相关股权和出资份额，同时拟发行股份募集配套资金。
