三星NAND晶圆投片量趋于保守 产能利用率维持在60%以下
三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。
三星电机宣布向AMD供应高性能FCBGA基板
三星电机在声明中称，公司已向FCBGA基板领域投资了1.9万亿韩元（约合人民币99.56亿元）。
总投资20亿元，中宜创芯碳化硅半导体粉体产线项目一期达产
据消息，近日，河南中宜创芯发展有限公司碳化硅半导体粉体500吨生产线成功达产，已在国内二十多家企业和研究机构开展试用和验证。
三星和SK海力士将超过20%的DRAM产线转换为HBM产线
三星和SK海力士预测，由于AI相关芯片需求不断增长，今年DRAM和HBM价格将保持坚挺
三星电子400层NAND完成研发，已开始导入产线
据韩媒报道，目前，三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。
韩智库：半导体行业呈现持续增长态势 带动出口和生产激增
韩国开发研究院（KDI）7日发布的《4月经济动向》报告指出，内需持续低迷，但在信息技术产业的引领下，出口延续恢复向好势头，经济衰退担忧得到缓解。
晶盛机电半导体材料抛光及减薄设备项目建成时间延后至明年6月
据消息，晶盛机电6月15日发布公告称，审议通过了《关于部分募集资金投资项目延期的议案》。同意将向特定对象发行股票募集资金投资项目“年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目”达到预定可使用状态日期由原定的2024年6月30日延期至2025年6月30日。
日月光Q1营收超1300亿元新台币 创同期次高
日月光投控4月9日公布3月合并营收456.61亿元新台币（单位下同），较2月环比增长14.9%，较去年同期下滑0.2%。
华虹公司证实：将代工意法半导体40nm MCU
据报道，11月21日，意法半导体在投资者活动现场宣布，公司正和中国晶圆代工厂华虹公司开展合作，将与华虹合作在中国生产40nm节点的微控制器单元（MCU）。
纳芯微拟收购上海麦歌恩微电子部分股权
6月23日晚间，纳芯微（688052 ）披露公告称，公司拟收购上海麦歌恩微电子股份有限公司部分股权。
投资百亿！华虹无锡二期项目12英寸生产线建成投片
据华虹集团官微消息，12月10日，华虹无锡集成电路研发和制造基地（二期）12英寸生产线迎来建成投片的里程碑节点，标志着华虹集团先进特色工艺能力和制造产能迈上了新台阶。
“国家队”重磅官宣 1.5万亿半导体投资启航
6月7日，国家金融监管总局官网挂出同意国有六大行参与投资设立国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司的行政批复。国家金融监管总局指出，资金来源于银行资本金划拨，确保基金运行不偏离主业，实现推动集成电路产业高质量发展的政策目标。
三星电子工会宣布发起全国大罢工
有媒体报道称，韩国韩国科技大厂三星电子工会今天宣布发起全国大罢工，并表示在改善薪酬和休假福利等要求得到满足前，将会持续奋战。
Arm计划五年内获得50％的PC市场份额
Arm CEO Rene Haas表示，该公司旨在五年内赢得超过50%的Windows PC市场份额，与此同时，微软及其硬件合作伙伴正准备推出一批基于Arm技术的新电脑。在COMPUTEX台北国际电脑展上，Rene Haas预计到2025年底全球将有1000亿台Arm设备为人工智能（AI）做好准备。
SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍
据消息，SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
台积电拟赴美投资千亿美元
据台媒报道，台积电于3月4日宣布，计划在美国投资1000亿美元（约合人民币7281.2亿元），打造3座晶圆厂、2座封测厂以及1间主要研发团队中心。这一计划将与目前正在亚利桑那州凤凰城进行的650亿美元投资项目相结合，从而使台积电在美国的总投资规模达到1650亿美元。
总投资21亿元，德赛矽镨一期工程竣工投产
据消息，日前，位于中韩（惠州）产业园的德赛矽镨一期工程已竣工投产，二期工程计划今年下半年启动，预计2025年全面完成建设。
思锐智能半导体先进装备研发制造中心项目封顶
9月27日，青岛集成电路先进装备园暨思锐智能半导体先进装备研发制造中心项目封顶仪式在青岛自贸片区·中德生态园内的青岛市集成电路产业园举行。
