Broadcom第二季度营收150.04亿美元，同比增长20%
6月5日，Broadcom公布了截至2025年5月4日的2025财年第二季度财务业绩，为2025财年第三季度提供了指导，并宣布了季度股息。
香港首座8英寸碳化硅晶圆厂获批，预算超7亿港元
近日，香港创新科技署宣布，杰立方半导体（香港）有限公司的“新型工业加速计划”申请获得批准，标志着香港首座8英寸碳化硅（SiC）晶圆厂的建设即将启动。该项目的总预算超过7亿港元，预计将获得约2亿港元的政府资助，旨在提升香港在先进半导体制造领域的能力。
总投资25亿元，思亚诺芯片封装项目落户华容
据华容融媒官微消息，6月9日，华容区人民政府与思亚诺（武汉）存储技术有限公司举行芯片封装项目签约仪式。
美光科技将在美国芯片制造和研发领域投资约2000亿美元
美光科技(Micron Technology)宣布计划在爱达荷州、纽约州和弗吉尼亚州的设施中投资约2,000亿美元（当前约合人民币14,341亿元）用于美国半导体制造和研发。
上海科研团队研制出超高速闪存，每秒存取25亿次
据科技日报消息，近日，由复旦大学周鹏/刘春森团队研制的“破晓”皮秒闪存器件，擦写速度快至400皮秒，相当于每秒可执行25亿次操作，是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。相关研究成果已发表于国际期刊《自然》。
国务院国资委：中央企业必须把科技创新摆在更加突出位置
据国务院国资委官网消息，4月7日，国务院国资委党委召开扩大会议，国务院国资委党委书记、主任张玉卓主持会议并讲话。
NEO Semiconductor推出全球首款X-HBM架构
自NEO Semiconductor官网获悉，日前，NEO Semiconductor宣布推出全球首个用于人工智能芯片的超高带宽内存 (X-HBM) 架构。
9月深圳，SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展打造30万㎡“半导体+光电子”盛宴
SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展”将于9月10-12日在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办。
总投资50.6亿，全国首条8英寸MEMS晶圆全自动生产线预计9月量产
安徽华鑫微纳集成电路有限公司8英寸晶圆生产线于今年五月份完成首批产品成功串线后加快产品研发，预计九月底前进入量产阶段。
三星宣布延长工时至每周工作64小时
据媒体报道，近日，韩国劳动部批准三星电子半导体系统部门的特殊工时申请，允许其研发人员在接下来三个月内实行每周最长64小时工作制（即每周工作五天，每天工作12.8小时），随后三个月调整为每周60小时。
禾盛新材拟投资2.5亿元增持熠知电子股权，布局ARM服务器处理器市场
禾盛新材近日宣布，计划以自有资金或自筹资金向熠知电子增资2.5亿元，增资后预计将持有熠知电子10%的股权。
三星电子完成1c纳米DRAM内存工艺开发，准备向量产转移
据韩媒报道，日前，三星电子对其第六代10nm级DRAM内存工艺1c纳米授予生产准备批准 (PRA)。这标志着三星完成1c nm内存开发，准备向量产转移。
芯碁微装直写光刻设备批量导入国内多家封测龙头
据芯碁微装官微消息，合肥芯碁微电子装备股份有限公司宣布，其面向中道领域的晶圆级及板级直写光刻设备系列已获得重大市场突破。
传Synopsys重启部分中国服务
据外媒报道，近日，美国EDA及半导体IP大厂Synopsys（新思科技）已恢复了在中国的部分服务，包括非核心硬件和知识产权的销售，使其能够为一些现有客户提供服务，但是核心EDA工具仍无法供应。
LG电子启动混合键合设备开发，目标2028年实现大规模量产
据韩媒报道，7月13日，韩国LG电子宣布其生产技术研究所（PTI）已启动混合键合设备开发项目，目标在2028年实现大规模量产。
闪迪联手SK海力士推进高带宽闪存标准化，2026年推首款样品
自闪迪Sandisk官网获悉，当地时间8月6日，闪迪宣布已与SK海力士签署了一份具有里程碑意义的合作备忘录（MOU），双方将携手制定高带宽闪存（High Bandwidth Flash, HBF）的规格。这是一种旨在为下一代人工智能推理提供突破性内存容量和性能的新技术。
七部门：设立“国家创业投资引导基金”
近日，科技部、中国人民银行、金融监管总局、中国证监会、国家发展改革委、财政部、国务院国资委印发《加快构建科技金融体制 有力支撑高水平科技自立自强的若干政策举措》，设立“国家创业投资引导基金”。发挥国家创业投资引导基金支持科技创新的重要作用，将促进科技型企业成长作为重要方向，培育发展战略性新兴产业特别是未来产业，推动重大科技成果向现实生产力转化，加快实现高水平科技自立自强，培育发展新质生产力。拓宽创
