时代电气三期株洲SiC产线有望年底拉通
近日，时代电气在披露的投资者关系活动记录表中提到，公司三期株洲产线（SiC产线）有望在2025年底实现产线拉通。
总投资200亿，士兰微12英寸高端模拟芯片制造生产线项目（一期）预计年底动工
日前，厦门士兰微项目总指挥朱利荣透露，总投资200亿元的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，一期计划于今年底动工。
英特尔计划投资14.7亿元在马来西亚建封测厂
据报道，马来西亚总理安瓦尔・易卜拉欣（Anwar Ibrahim）表示，英特尔公司将追加投资8.6亿林吉特（约合人民币14.7亿元），以将马来西亚打造为其全球封装与测试运营中心。
英飞凌居林200mm碳化硅晶圆厂第一阶段建设完成
英飞凌已完成位于马来西亚居林的200mm碳化硅（SiC）功率晶圆厂的第一阶段建设。
深圳：支持集成电路、AI等龙头公司开展上下游并购重组
10月22日，深圳市地方金融管理局、深圳市发改委、深圳市科技创新局、深圳市工业和信息化局、深圳市商务局、深圳市国资委等多部门联合印发《深圳市推动并购重组高质量发展行动方案（2025—2027年）》（以下简称“行动方案”）。其中提出，在集成电路、人工智能、新能源、生物医药等战略性新兴产业领域，支持“链主”企业、龙头上市公司等开展上下游并购重组，收购有助于强链补链和提升关键技术水平的优质未盈利资产，推
寒武纪近50亿元定增申请获受理
自上交所官网获悉，6月4日晚间，寒武纪49.8亿元定增申请获得上交所受理。此次寒武纪再融资适用科创板“轻资产、高研发投入”企业认定标准，也是落实“科创板八条”的又一代表性案例。
中国电科成功研发国内首个金刚石微波激射器
据新华网报道，自中国电子科技集团有限公司获悉，中国电科产业基础研究院重点实验室量子科研团队联合中国科学院量子信息重点实验室，成功研发国内首个金刚石氮空位色心微波激射器。
环球晶圆加码40亿美元，扩产12英寸线
据外媒报道，当地时间5月15日，环球晶圆宣布其美国新12英寸晶圆制造厂GlobalWafers America（GWA）正式启用。
本田与IBM签署联合研发谅解备忘录
据IBM官网消息，5月15日，IBM与本田汽车共同宣布，双方已签署一份联合研发谅解备忘录，建立下一代半导体和软件技术的长期合作伙伴关系。
国巨完成对日本芝浦电子公开收购
10月20日，台湾地区电子零部件制造商国巨宣布已完成对日本芝浦电子的公开收购，应募率达87.3%。
思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产
据思锐智能官微消息，日前，思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产仪式在青岛隆重举行。据悉，思锐智能半导体先进装备研发制造中心由思锐智能与青岛城投集团联合打造，总占地约95亩，总建筑面积约8.9万平方米，计划投资超12亿元，聚焦原子层沉积镀膜（ALD）和离子注入机（IMP）两大核心装备的研发与量产。思锐智能董事长聂翔表示，思锐智能半导体先进装备研发制造中心不仅是一座年产上百台核心设备的研发生产基
意法半导体与吉利汽车签署SiC长期供应协议
6月4日，意法半导体（ST）与吉利汽车集团宣布，双方签署碳化硅（SiC）器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。
上海科研团队研制出超高速闪存，每秒存取25亿次
据科技日报消息，近日，由复旦大学周鹏/刘春森团队研制的“破晓”皮秒闪存器件，擦写速度快至400皮秒，相当于每秒可执行25亿次操作，是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。相关研究成果已发表于国际期刊《自然》。
