台积电明年资本支出冲新高 2纳米需求超预期

据消息,台积电(2330) 2025年资本支出又将冲高。业界传出,因持续加码2纳米等最先进制程相关研发加上2纳米后续需求超乎预期强劲,产能将导入南科,台积电2025年资本支出可望达320亿美元至360亿美元区间,为历年次高,年增12.5%至14.3%。

英特尔实现光学I/O芯粒的完全集成

据消息,日前,英特尔在2024年光纤通信大会(OFC)上,英特尔硅光集成解决方案(IPS)团队展示了业界领先的、完全集成的OCI(光学计算互连)芯粒,该芯粒与英特尔CPU封装在一起,运行真实数据。

消息称三星客户已包下V8-NAND 2025年产能

据悉,三星电子西安厂升级至第八代V-NAND制程进度正加快推进。三星原本积极催促客户采购第八代 V-NAND,但近期已释出消息,2025年产能几乎被客户包走,整体销售力道强劲,主要采购动能来自于数据中心,部分则来自于手机客户。 ​

ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备

据报道,韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机,用于HBM4生产。美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机,用于生产HBM3E,于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。