容泰半导体二期工程项目预计于今年5月完工
容泰半导体二期项目进展顺利，厂房占地面积961.52平方米，预计于2024年5月试产，并计划于6月进行量产。
长电科技引领创新：百微米级芯片高精度热管理，推动高密度芯片封装技术发展
在芯片封装技术日益迈向高密度、高性能的今天，长电科技引领创新，推出了一项革命性的高精度热阻测试与仿真模拟验证技术
芯粤能SiC芯片制造项目加速一期产能爬坡
近日，据芯粤能晶圆厂厂长邵永华介绍，目前整个工厂正在扩产爬坡，预计今年年底实现年产24万片6英寸车规级SiC芯片的规划产能。
三菱电机计划近50亿元在熊本新设SiC厂房
据日媒报道，3月14日，三菱电机宣布将增产碳化硅（SiC）功率半导体，于4月开始在熊本县菊池市建设新SiC厂房。
英特尔将搁置在意大利的投资
据外媒报道，意大利工业部周四表示，英特尔推迟了在意大利的投资计划，此前在2022年3月首次提出的建设先进封装和芯片组装工厂的项目尚未确定。
AI芯片晶体管数量突破4万亿个
据财联社3月14日报道，美国加州半导体公司Cerebras Systems发布了一项重大消息，其第三代晶圆级AI加速芯片“WSE-3”(Wafer Scale Engine 3)正式面世。
力积电与印度塔塔大型12吋晶圆厂动土开工
据相关媒体报道，3月13日，力积电和印度塔塔集团合作兴建大型12吋晶圆厂的动土典礼举行，涉及三项目共斥资150亿美元
