近日,存储芯片大厂SK海力士首席执行官郭鲁正在对员工的2026年新年致辞当中表示,人工智能(AI)需求超出预期,并将成为常态。行业内竞争日益激烈,SK海力士目标是成为真正的世界级公司。

2025 年,全球 AI 需求的爆发式增长直接推动 DRAM(动态随机存取存储器)与 NAND Flash(闪存)市场进入 “供不应求” 周期,DRAM 和NAND Flash 两大市场涨幅惊人。

  • DRAM 市场:据 DRAMeXchange 数据,PC DRAM DDR4 8Gb 平均合约价格从 2024 年底的 1.35 美元飙升至 2025 年底的 9.30 美元,涨幅近 7 倍;其中 2025年第四季度单季价格涨幅达 32.9%,创下 2016 年该数据跟踪以来的历史最高水平。

  • NAND Flash 市场:通用 128Gb NAND Flash 产品(广泛应用于存储卡、移动硬盘)2025 年价格上涨 2.76 倍,与 DRAM 市场共同形成 “双涨” 格局。

存储芯片价格的持续走高,也直接带动了包括 SK 海力士在内的行业厂商业绩大幅增长。

SK 海力士:2025 年营收、利润、股价全方面创纪录

SK 海力士 2025 年迎来 “创纪录的一年”,在规模与质量上实现显著突破。据公司财报,2025 年前三季度累计营收达 64.3 万亿韩元(约合 445 亿美元),累计营业利润为 28 万亿韩元(约合 194.11 亿美元)—— 仅前三季度营业利润已超过 2024 年全年 23.4 万亿韩元的年度纪录,盈利能力大幅提升。

与此同时,SK的股价也急速飙升。2025 年下半年,SK 海力士股价暴涨超 140%,市场对公司业绩的认可直接反映在资本市场表现中。

AI 需求是“泡沫”吗?郭鲁正表示:是机会。

针对市场近期出现的 “AI 泡沫” 争议,郭鲁正明确回应:“曾经被视为极具潜力的 AI 需求,现在已成为常态”。早在 2025 年三季度财报会议上,SK 海力士财务担当副社长金祐贤就透露,受客户需求旺盛影响,公司 2026 年不仅 HBM(高带宽存储器,AI 数据中心核心存储组件)产能已售罄,传统 DRAM、NAND 产能也全部预订完毕,部分客户甚至提前锁定了 2026 年的传统存储芯片订单,显示出 AI 驱动下存储需求的长期性。

尽管 2025 年业绩亮眼,SK 海力士也面临着日益激烈的行业竞争,核心挑战来自头部厂商三星电子:

  • 全球存储市场份额:2025 年第三季度,三星凭借 194 亿美元的存储芯片收入重新反超 SK 海力士,夺回全球存储市场 “第一” 位置;
  • DRAM 细分市场:SK 海力士仍保持优势 —— 三星 DRAM 市场份额从 2024 年的 40% 降至 2025 年三季度的 33%,落后于 SK 海力士的 34%,这一优势主要源于 SK 海力士在 AI 数据中心关键的 HBM 市场 “保持明显领先”。

不过,三星的追赶已对 SK 海力士构成压力:目前三星 HBM3E 产品已成功进入英伟达供应链,且在下一代 HBM4 产品的性能研发与商业化进程上逐步缩小差距,SK 海力士在 HBM 领域的领先地位将面临更严峻挑战。

目标----世界级公司:靠技术、投资、速度破局

面对 AI 时代的新竞争格局,郭鲁正明确了 SK 海力士的长期愿景 ——“发展成为真正世界级的公司”,并提出三大核心策略:技术领导、加大投资、加速迭代。

    郭鲁正表示,SK 海力士的最终目标是 “成为真正的全栈 AI 存储创建者”。他说:“只有突破现有框架,我们才能为客户创造核心价值”。

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