鹏鼎控股投资80亿元建设淮安产业园
鹏鼎控股8月19日发布晚间公告称，经董事会审议，同意公司在淮安园区投资合计80亿元建设淮安产业园，并同步投资建设SLP、高阶HDI及HLC等产品产能，扩充软板产能，为快速成长的AI应用市场提供全方位PCB解决方案。
同光半导体8英寸碳化硅单晶衬底项目开工
据消息，2月11日，河北同光半导体股份有限公司国家企业技术中心揭牌暨年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目启动仪式，在保定国家高新技术产业开发区举行。
新思科技：AI指导芯片设计可减少30%能耗，设计效率提高15倍
昨日，2024世界人工智能（AI）大会暨人工智能全球治理高级别会议开幕。新思科技总裁兼首席执行官Sassine Ghazi（盖思新）受邀参加，并发表《自芯片创新视角思考负责任的人工智能》的主旨演讲。
Rapidus 2nm制程测试工厂将于2025年4月启动
据外媒报道，日本初创代工企业Rapidus的CEO 小池淳义（Atsuyoshi Koike）在受访时表示，Rapidus将于2025年4月开设其2nm测试工厂。
美国务院：美国与墨西哥将合作发展半导体供应链
美国国务院当地时间3月28日在一份声明中表示将与墨西哥政府合作，在2022年《CHIPS法案》设立的ITSI基金的支持下，共同探索发展半导体供应链的机会。
康达新材：子公司拟2.89亿元投建半导体光刻胶光引发剂项目
康达新材4月16日发布公告称，经决议，公司同意控股子公司西安彩晶光电科技股份有限公司投资建设半导体光刻胶核心材料光引发剂技术研究和产业化项目。
西门子斥资106亿美元收购Altair
日前，西门子发布公告称，公司已签署协议，收购工业模拟和分析市场领先的软件提供商 Altair Engineering，交易预计在2025年下半年完成。
超微3纳米晶圆代工有望交付三星
据消息，近期韩国证券业界分析认为，三星电子可能从超微获得3纳米晶圆代工订单，除了考量台积电的产能，超微在ITF World 2024活动中的发言也可看出端倪。超微提到将从3nm开始采用环栅（GAA）晶体管结构，以提高功效和性能。目前，三星电子是唯一在3纳米使用GAA结构的企业。
容大感光拟募资2.45亿元建设高端感光线路干膜光刻胶项目
6月7日，容大感光发布公告称，公司拟以简易程序向特定对象发行股票募资不超2.45亿元，用于高端感光线路干膜光刻胶建设项目、IC载板阻焊干膜光刻胶及半导体光刻胶研发能力提升项目以及补充流动资金。
台积电4月营收同比增长60%至2360亿元新台币
由于消费电子产品开始复苏，人工智能（AI）需求持续增长，台积电4月营收较去年同期增长60%，月增20.9%，达到2360亿元新台币（合73亿美元），为历史次高，
美光宣布获得61亿美元CHIPS和科学法案资助
美光宣布已根据《CHIPS 和科学法案》签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，获美国政府拨款 61亿美元。
韩国3月前20天芯片出口额同比下降44.7%
3月21日消息，韩国关税厅（海关）数据显示，由于全球对半导体的需求依然疲软，出口下滑持续加剧，3月的前20天，韩国出口额同比下降17.4%，其中芯片出口额为43.2亿美元，同比下降44.7%，对中国的出口量下降了36.2%
三星半导体自爆，利润大跌50%
据韩国媒体 The Elec 报道，三星的设备解决方案 (DS) 部门负责运营三星代工厂、系统 LSI和内存部门，预计其 2023 年的营业利润将达到 13.1 万亿韩元左右。据报道，该公司在周三发给员工的一份说明中分享了这一数字。
HANMI宣布成立HBM4生产设备研发团队
自韩美半导体官网获悉，6月5日，韩美半导体（HANMI）宣布成立一个名为Silver Phoenix的团队，致力于生产第6代高带宽内存（HBM）设备“TC Bonder 4”。
中科院微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展
近期，中国科学院微电子所高频高压中心GaN研究团队在刘新宇研究员带领下，在高频高效率器件、限幅器、电源驱动电路等研究方向进行了创新性研究和探索，取得了重要进展。
英伟达首次将华为列为竞争对手，外交部回应
毛宁表示，事实证明“小院高墙”挡不住中国创新发展的步伐，也不利于包括美国企业在内的整个产业的健康发展
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存
SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）21日宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。
台积电明年资本支出冲新高 2纳米需求超预期
据消息，台积电（2330） 2025年资本支出又将冲高。业界传出，因持续加码2纳米等最先进制程相关研发加上2纳米后续需求超乎预期强劲，产能将导入南科，台积电2025年资本支出可望达320亿美元至360亿美元区间，为历年次高，年增12.5%至14.3%。
