英飞凌将为小米电动汽车提供先进的功率芯片
据消息，德国芯片制造商英飞凌据称已与电动汽车制造商小米达成协议，将向小米汽车供应先进的功率芯片，直至2027年。
盛剑环境国产半导体制程附属设备及关键零部件项目奠基
12月27日，上海盛剑环境系统科技股份有限公司在上海市嘉定工业区举行“盛剑环境国产半导体制程附属设备及关键零部件项目”奠基仪式
文晔科技38亿美元收购富昌电子案，已获中国反垄断部门无条件批准
近日，国家市场监督管理总局公布《2023年12月18日-12月24日无条件批准经营者集中案件列表》，文晔科技收购富昌电子股权案在列
清华大学获芯片领域重要突破
从清华大学获悉，针对大规模光电智能计算难题，清华大学电子工程系副教授方璐课题组、自动化系戴琼海院士课题组，摒弃传统电子深度计算范式，另辟蹊径，首创分布式广度光计算架构，研制大规模干涉-衍射异构集成芯片太极（Taichi），实现160 TOPS/W的通用智能计算。
比亚迪入股半导体封装材料研发商芯源新材料
据悉，近日，深圳芯源新材料有限公司发生工商变更，新增比亚迪为股东，注册资本由约150.54万人民币增至约165.92万人民币，同时新增陈鼎豪、郝馨儿为董事。深圳芯源新材料有限公司成立于2022年4月，法定代表人为姜亮，经营范围含新材料技术研发、电子专用材料研发、电子专用材料制造等。公开信息显示，芯源新材料是是一家以高导热封装互连材料为核心的科技企业。
总投资120亿元，士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线开工
据消息，6月18日上午，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目在海沧开工。
高交会新型显示展同期论坛抢鲜预告，显示&半导体两大主题谱写新篇章
第二十五届中国国际高新技术成果交易会（以下简称高交会）将于11月15日-19日在深圳会展中心（福田）举办，高交会已成为洞察全球市场新需求、行业发展新趋势、人才发展新方向的绝佳窗口
战略新变革：三菱电机为功率半导体按下“加速键”
在以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体逐渐进入产业化并加速放量的阶段，三菱电机为抢占技术先机按下了“快捷键”
国家发改委郑栅洁：越来越多的产品装上了“中国芯”，打压封锁只会让中国加快步伐
3月6日，十四届全国人大三次会议举行，国家发展和改革委员会主任郑栅洁在回答人民日报记者提问时表示，过去一年，我国科技和产业创新亮点很多，扑面而来的科技感和未来感给大家带来许多惊喜，在国内外引发高度关注。可以说，新质生产力正在全面改造我们的生产方式和改变我们的生活方式，深刻改变中国经济社会发展。
总投资15亿元，瑞红集成电路用高端光刻胶总部项目签约
瑞红（苏州）电子化学品股份有限公司成立于1993年，是国内规模最大的专业光刻胶企业之一
AMD：美国对华芯片出口限制将导致2025年收入损失15亿美元
AMD周二（5月6日）表示，由于美国对芯片实施的新限制措施，该公司预计今年将损失15亿美元的收入。
通富微电“多芯片封装方法”专利获授权
天眼查显示，通富微电子股份有限公司近日取得一项名为“多芯片封装方法”的专利，授权公告号为CN112490186B，授权公告日为2024年6月14日，申请日为2020年11月25日。
新宙邦半导体新材料项目开工 总投资20亿元
6月18日上午，总投资20亿元的新宙邦半导体新材料项目在南通开发区开工建设。该项目可年产12.5万吨的半导体新材料和20.5万吨锂电池电解液，达产后预计年产值将达25亿元。
总投资150亿元，大全能源拟在新疆投建硅基新材料产业园项目
该项目计划固定资产投资人民币150亿元，项目计划分两期建设。其中一期计划投资人民币75亿元，建设年产5万吨多晶硅及配套15万吨工业硅、120万支圆硅芯项目；二期计划投资人民币75亿元，建设年产5万吨多晶硅及配套15万吨工业硅、100万支圆硅芯项目
台积电获美国66亿美元补贴，将在美建设第三座晶圆厂
当地时间4月8日，台积电宣布美国商务部和TSMC Arizona已签署一份不具约束力的初步备忘录（PMT），TSMC Arizona将获得最高可达66亿美元的直接资金补助，并可获最高达50亿美元的低成本政府贷款，申请高达资本支出25%的投资税收抵免。
总投资近200亿元，东芝宣布与罗姆半导体合作生产功率半导体
12月8日，东芝（TOSHIBA）公司宣布与罗姆半导体（ROHM）合作生产并增加功率器件量产的计划已得到认可，并将获得经济产业省的支持
台亚宣布分割8英寸GaN产品事业群
5月28日，台亚半导体宣布经股东大会决议，通过了此前提出的8英寸GaN（氮化镓）业务分割计划，并由子公司冠亚半导体承接该业务。同时，台亚总经理衣冠君将转任冠亚半导体总经理，负责台亚集团未来8英寸GaN产品相关业务。
总投资10亿元，展鑫半导体封测及智能装备制造项目厂房完工
项目总投资10亿元，计划改造3万平方米砖混标准厂房，建设半导体封测及应用生产线80条、年产数控建工中心机6000台暨智能机器人设备800台的生产、研发基地
三星将使用内部4nm工艺量产下一代HBM4存储芯片
据报道，三星电子已决定使用内部4nm工艺制造下一代HBM4存储芯片中的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部，是HBM芯片的核心组件之一。
