联发科3纳米制程芯片已成功流片，预计2024年量产
9月7日早间，联发科与台积电共同宣布，联发科首款采用台积电3纳米制程生产的天玑旗舰芯片日前已成功流片，预计将于2024年实现量产，并在下半年上市
阿斯麦Hyper-NA EUV售价或超7.24亿美元
近日，据朝鲜日报报道，阿斯麦（ASML）将针对1纳米以下制程，计划在2030年推出更先进Hyper-NA EUV光刻机设备，但可能超过7.24亿美元一台的售价会让台积电、三星、英特尔等半导体晶圆代工厂商望而却步。
张家港保税区泛半导体产业园（四期）开园投运
据消息，4月25日，保税区泛半导体产业园（四期）开园仪式举行。活动上，18个优质项目集中签约、开工、投产，总投资12亿元。
高塔半导体Q1营收3.27亿美元超预期 2024全年业绩将有所改善
芯片制造商高塔半导体公布2024年第一季度利润和收入超出预期，并表示尽管经济低迷导致工业和汽车芯片需求疲软，但预计2024年全年业绩将有所改善。
果纳半导体海宁生产基地投产仪式举行
7月1日，上海果纳半导体海宁生产基地投产仪式隆重举行。海宁基地的投产将使果纳的生产能力大幅度提高，在拓展产能、满足订单快速提升需求的同时，也将为公司后续产品的研发和量产提供有力的平台支撑。
关于征集“集成芯片前沿技术科学基础”重大研究计划2024年度项目指南建议的通告
面向国家高性能芯片的重大战略需求，针对集成芯片的重大基础问题，自然科学基金委2023年启动了“集成芯片前沿技术科学基础”重大研究计划，旨在对集成芯片的数学基础、信息科学关键技术和工艺集成物理理论等领域的攻关，促进我国芯片研究水平的提高，为发展芯片性能提升的新路径提供基础理论和技术支撑
四川晶导微新工厂首批设备搬入
据消息，10月8日，四川晶导微电子有限公司内江过渡厂房项目首批设备的搬入，正式进入设备安装和调试阶段。
SK海力士实现1c nm制程DRAM内存量产
据韩媒报道，近日，SK海力士成功完成了1c纳米制程DRAM的批量产品认证，连续多个以25块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到要求，预计SK海力士将在2月初正式启动1c纳米DRAM的量产。
斯达半导取得功率模块专利，增强功率半导体模块的使用寿命
5月31日消息，据国家知识产权局公告，斯达半导体股份有限公司取得一项名为“一种具有银浆烧结层的功率模块”，授权公告号CN221057406U，申请日期为2023年9月。
中巨芯：拟6亿元投建集成电路制造用先进电子化学材料项目
中巨芯表示，本次投资有利于提高公司产品供应保障能力，做强配方型电子化学品、前驱体材料等集成电路用先进电子化学材料产品，提高公司竞争优势
沪电股份：AI芯片配套扩产项目将于明年下半年试产
沪电股份日前披露最新投资者关系活动记录表。沪电股份表示，其人工智能芯片配套高端印制电路板（PCB）扩产项目已于2025年6月下旬开工建设。
国科科技总部落地苏州工业园区
苏州国科测试科技有限公司是一家专注于智能制造及新能源领域测试设备研发及产业化的企业，目前研发生产的飞针测试机和AOI自动光学检测设备已实现国产化替代
工信部：持续推进集成电路、人工智能等关键技术研发创新和产业化发展
据央广网报道，10月24日，国新办举行新闻发布会，介绍2024年前三季度工业和信息化发展情况。
ASML荷兰扩建计划获表决通过
据报道，当地时间周二，荷兰埃因霍温市议会投票通过了ASML在该市北部进行重大扩张的计划。该委员会表示，此次扩张计划可容纳多达2万名新员工。
中国电科实现国产离子注入机28纳米工艺全覆盖
电科装备连续突破光路、控制、软件等关键模块的核心技术，形成中束流、大束流、高能及第三代半导体等全系列离子注入机产品格局，实现了28纳米工艺制程全覆盖，切实保障国产芯片生产制造
消息称英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能 单台成本超26亿元
ASML截至2025上半年的高数值孔径EUV（High-NA EUV）设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和SK海力士2025下半年后才能获得设备。
青禾晶元总部落户天津
据“滨海发布”公众号消息，近日，北京青禾晶元半导体科技有限责任公司迁址天津滨海高新区，更名为青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司，成为青禾晶元全国总部和上市主体。
5亿元常熟吴越天使基金发布，聚焦半导体材料和器件等新兴产业
常熟吴越天使基金发布，总规模5亿元，将围绕新能源材料和部件、自动驾驶和智慧座舱、半导体材料和器件等领域
