SK海力士实现1c nm制程DRAM内存量产
据韩媒报道，近日，SK海力士成功完成了1c纳米制程DRAM的批量产品认证，连续多个以25块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到要求，预计SK海力士将在2月初正式启动1c纳米DRAM的量产。
总投资近百亿！江苏华天集成电路晶圆级封测基地项目厂房全面封顶
近日，位于浦口经济开发区的江苏华天集成电路晶圆级封测基地项目3#厂房全面封顶，1#厂房已建成，正在进行设备调试。
沈阳和研半导体精密划切设备研发及产业基地建设项目奠基开工
据和研科技官微消息，4月9日，沈阳半导体精密划切设备研发及产业基地建设项目奠基及开工仪式在沈北新区蒲城路隆重举行。
武汉光谷实验室突破成像芯片新技术
据消息，日前，光谷实验室宣布，其联合华中科技大学、武汉光电国家研究中心等相关机构研发的胶体量子点成像芯片已实现短波红外成像。
韩版芯片法案获国会通过，最高可获35%投资抵免率
3月30日，据韩联社报道，韩国旨在扶持本土半导体产业的“韩版芯片法案”在韩国国会获得通过，半导体等国家战略产业进行设备投资的企业将享受更高的所得税税额抵免率
全球半导体设备商业绩明显下滑
由于半导体市场状况不佳导致需求停滞，美国对中国的出口限制也产生了一定影响。另一方面，基于利空因素几乎全部出尽的观点，相关企业的股价也在迅速恢复。今后的关注焦点将是业绩恢复时期的确定性和反弹力度。
年产36万片碳化硅晶圆！长飞先进武汉基地封顶
6月18日，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构封顶。该基地是武汉新城诞生的第一个项目，主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。
长电科技CEO郑力：高性能封装承载集成电路成品制造技术持续创新
封测产业作为集成电路的后道制造环节，在集成电路的前道制造和应用中确实起到了承前启后的关键作用，将伴随着摩尔定律继续向前发展
晶盛机电：SiC衬底项目正式进入量产阶段
12月5日，晶盛机电披露最新调研纪要称，目前公司 6 英寸衬底片已通过多家下游企业验证，并实现批量销售，8 英寸衬底片处于下游企业验证阶段
复睿微电子与紫光同创达成战略合作
双方将围绕应用IP和解决方案、创新产品研发、市场推广和生态发展等方面建立深层次的业务合作关系，携手推动国产FPGA及其IP生态成熟
台积电和新思科技将NVIDIA开创性计算光刻平台投入生产
3月19日，NVIDIA宣布，为加快下一代先进半导体芯片的制造速度并克服物理限制，TSMC 和 Synopsys 将在生产中使用 NVIDIA 计算光刻平台。
国内首次，镓仁半导体实现氧化镓晶体生长技术重大突破
据镓仁半导体官微消息，今年10月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）在氧化镓晶体生长方面实现新的技术突破，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备(非铱坩埚)，采用垂直布里奇曼法(VB)成功生长出2英寸氧化镓单晶，在国内尚属首次。
ASML荷兰扩建计划获表决通过
据报道，当地时间周二，荷兰埃因霍温市议会投票通过了ASML在该市北部进行重大扩张的计划。该委员会表示，此次扩张计划可容纳多达2万名新员工。
消息称三星3nm良率翻至3倍 仍不及台积电
据消息，三星致力提高3nm GAA工艺良率，近日，消息人士称，其良率提高到原来的三倍，即3nm工艺从之前10%~20%的良率提升至30%~60%之间，但仍然落后于台积电
无锡迪思高端掩模正式通线，首套90nm产品顺利交付
近日，无锡迪思微电子有限公司（以下简称“无锡迪思”）高端掩模项目完成关键设备安装调试，产线顺利贯通，并完成首套90nm高端掩模产品的生产与交付，标志着无锡迪思技术能力实现新跨越，向成为中国大陆技术、产能双领先的开放式掩模公司，又迈出坚实的一步。
