长江存储在美指控美光侵犯其11项专利
据外媒报道，近日，中国 3D NAND 闪存制造商长江存储（YMTC）再次向美光（Micron）提起诉讼，在美国加州北区指控美光侵犯了其11项专利，其中涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。
投入10亿元！985，共建研究院
济南晶谷研究院以山东大学在晶体材料与芯片源头创新供给优势为核心，构建“一院三链三圈”（一院：济南晶谷研究院；三链：第三代半导体与芯片、光电集成材料与器件、RISC-V CPU三大优势产业链；三圈：晶体材料、芯片模组、装备整机三个产业圈层）产业生态体系，打造“晶体材料—芯片模组—装备应用”完整产业链。
曦智科技携全新光电计算产品亮相Hot Chips大会
Hummingbird是首个用于特定领域人工智能（AI）工作负载的片上光网络（oNOC）处理器，采用先进封装技术，将光芯片和电芯片进行垂直堆叠，集成为一个系统级封装（System in Package，SiP）
广立微：拟13亿元布局EDA软件、电路IP及高性能可靠性测试板块的业务布局和研发落地
广立微公告称，公司拟在上海临港重装备产业区H35-02地块布局两大功能——制造类EDA/电路IP以及高性能可靠性电性测试解决方案的研发，项目总投资10亿元。同日公告，公司拟与长沙高新技术产业开发区管理委员会就公司在长沙高新技术开发区内投资建设EDA软件研发基地项目相关事宜签订《项目投资建设合同》，总投资规模不超过3亿元，分5年完成投资。
剑指HBM及AI芯片，普莱信重磅发布Loong系列TCB先进封装设备
普莱信智能构建完成Loong系列TC Bonder技术平台，并针对AI芯片，HBM等不同产品的需求，推出Loong WS及Loong F系列产品
第21届中国半导体封装测试技术与市场年会，将于10月26日盛大举办
“敢”字为先，谋封测产业新发展。10月26-27日，相聚昆山皇冠国际会展酒店
小米领投｜时创意获超3.4亿元B轮战略融资
近日，深圳市时创意电子有限公司（简称“时创意”）完成超3.4亿元B轮战略融资，由小米产投领投，动力未来等多家产业链上下游企业、机构跟投。本轮融资将用于持续强化时创意核心存储技术及产品矩阵研发，推进全球化战略部署
广西华芯振邦半导体有限公司三大产线试产成功
3月30日，广西华芯振邦半导体有限公司（以下简称华芯振邦）顺利完成了晶圆凸块制造、晶圆测试、COG封装三条产线的试产，并完成了IC可靠度测试
【10月17日芯闻】半导体设备国产化广阔；贺利氏5亿项目开工；江苏长晶冲刺IPO;苏州华星光电项目明年量产；
朗讯科技完成数亿元C轮融资；威兆半导体完成C轮数亿元战略融资；国镓半导体获近千万元融资；进芯电子完成C轮融资
总投资15.5亿元，东微电子（安徽）半导体核心零部件加工制造项目开工
据消息，近日，东微电子（安徽）半导体核心零部件加工制造项目开工仪式在苏阜产业园区举行。
斥资2亿美元，安世半导体计划在德生产下一代宽禁带半导体
自安世半导体（Nexperia）官网获悉，当地时间6月27日，安世半导体宣布计划投资2亿美元，用于在德国汉堡市开发以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的下一代宽禁带半导体（WBG），并在汉堡工厂（Hamburg site）建立生产基础设施。
以涉俄军为由，美帝将12个中国企业加入管制出口“实体清单”
4月13日，美国商务部工业与安全局当地时间周三在《联邦公报》（美国政府公报）刊登了一份定于4月17日发布的行政措施，将12个位于中国内地和香港的实体加入管制出口“实体清单”
SEMI：2024年全球半导体产能预计将达到创纪录的每月3000万片晶圆
全球半导体每月晶圆（WPM）产能在2023年增长5.5%至2960万片后，预计2024年将增长6.4%，首次突破每月3000万片大关（以200mm当量计算）
光刻机入场，积塔半导体特色工艺生产线迎来重大进展
300毫米车规半导体集成电路制造基地设备正式入场，经过调试后预计于今年7月正式投产
燧原科技启动IPO辅导
近日，中国证监会披露了关于上海燧原科技股份有限公司（以下简称“燧原科技”）首次公开发行股票并上市辅导备案报告。
台媒：苹果试产 3D 堆叠技术 SoIC
台积电 SoIC 是业界第一个高密度 3D 堆叠技术，通过 Chip on Wafer（CoW）封装技术，可以将不同尺寸、功能、节点的晶粒进行异质整合，并于竹南六厂（AP6）进入量产。其中，AMD 是首发客户，其最新的 MI300 即以 SoIC 搭配 CoWoS。
天岳先进正加快扩建8英寸碳化硅衬底产能
日前，上海临港管委会网站发布的环评公示显示，上海天岳利用“现有厂区内增加生产设备开展8英寸碳化硅晶片生产线建设，并对现有6英寸碳化硅晶片部分工艺进行改造”。上海天岳为天岳先进全资子公司。
台积电发力1nm工艺，力争2030年打造1万亿晶体管芯片
据报道，台积电计划在2030年左右完成1nm制程的芯片，实现单个封装内集成超过1万亿个晶体管的目标
