三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料

据消息,三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期,3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。​

鸿海布局第四代化合物半导体

近日,鸿海研究院半导体所,携手阳明交大电子所,双方研究团队在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破,提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 在高压、高温应用领域的高压耐受性能,为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。

喆塔半导体AI创新总部落户光谷并启动

据喆塔科技官微消息,8月30日,喆塔科技半导体AI创新总部——喆塔智芯正式落户武汉光谷,并与东湖高新区管委会、光谷金控签署了三方合作协议。武汉喆塔智芯签约仪式暨喆塔科技半导体AI创新总部启动仪式在光谷隆重举行,标志着三方合作步入实质性阶段。

台积电提前完成2纳米工艺生产设备安装

台湾媒体援引投资银行瑞银集团(UBS)的最新报告称,台湾半导体制造公司(TSMC)2025 年的资本支出将增至 370 亿美元。瑞银补充说,由于台积电采取积极措施提前部署 2 纳米芯片技术,该公司 2024 年的支出可能达到其指导值的上限,即 320 亿美元。

微软业务部门重组

近日,微软公司(Microsoft)宣布对其业务部门结构进行重大调整,并更新了2025财年第一季度的收入预测。该公司称,此次重组旨在更好地反映公司的业务方向和市场动态。

台积高雄第三座2纳米厂来了

台积电高雄第一座2纳米厂施工中,第二座2纳米厂也已启动,第三座高雄P3厂用地17.22公顷,24日通过高雄市都市计划委员会变更为甲种工业区,未来再通过环评、土污解除列管之后,即可申请建照动工兴建第三座2纳米厂。

中国在新兴芯片领域产生最多论文 难以透过出口管制打击

一份分析报告指出,中国目前在未来运算硬件基础研究领域产出最多的研究成果。这项由乔治城大学新兴技术观察项目 (Emerging Technology Observatory,ETO) 进行的研究发现,如果这些研究能够发展成商业应用,美国可能很快就会发现,难以透过出口管制来维持其在高效能微芯片设计和生产方面的竞争优势。