晶盛机电首条12英寸碳化硅中试线通线

11月20日,晶盛机电在投资者互动平台表示,公司碳化硅衬底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底的规模化量产与销售,量产产品核心参数指标达到行业一流水平,8英寸碳化硅衬底在技术和规模方面处于国内前列。

思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产

据思锐智能官微消息,日前,思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产仪式在青岛隆重举行。据悉,思锐智能半导体先进装备研发制造中心由思锐智能与青岛城投集团联合打造,总占地约95亩,总建筑面积约8.9万平方米,计划投资超12亿元,聚焦原子层沉积镀膜(ALD)和离子注入机(IMP)两大核心装备的研发与量产。思锐智能董事长聂翔表示,思锐智能半导体先进装备研发制造中心不仅是一座年产上百台核心设备的研发生产基

浙江12英寸CMOS二期项目新进展

据浙大杭州国际科创中心官微消息,日前,浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)项目一期(六阶段)工程、浙江省集成电路创新平台二期A12号楼首段大体积筏板混凝土浇筑任务顺利完成。

上海科研团队研制出超高速闪存,每秒存取25亿次

据科技日报消息,近日,由复旦大学周鹏/刘春森团队研制的“破晓”皮秒闪存器件,擦写速度快至400皮秒,相当于每秒可执行25亿次操作,是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。相关研究成果已发表于国际期刊《自然》。