KLA在英国威尔士开设半导体设备研发制造中心
据外媒，日前，KLA Corporation（科磊公司）宣布在英国威尔士纽波特开设其价值1.38亿美元的新研发（R&D）和制造中心。该中心可容纳750名员工，KLA正在积极招聘。
台积电批准近155亿美元拨款，用于建设新晶圆厂和先进节点产能
台积电董事会已批准拨款约154.8亿美元，主要用于新晶圆厂建设、晶圆厂设施系统安装和先进工艺节点产能部署。
科大立安中标安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目
近日，辰安科技子公司科大立安成功中标“安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目”。
长控集团新增16家投资方，融资近百亿
日前，养元饮品发布公告称，其控制的泉泓投资以货币出资方式对长江存储科技控股有限责任公司（下简称“长控集团”）增资人民币16亿元。本次交易完成后，泉泓投资持有长控集团0.99%的股份。
瀚薪芯昊碳化硅封测项目封顶
据瀚薪科技官微消息，5月27日，瀚薪科技通过全资子公司浙江瀚薪芯昊半导体有限公司在丽水投建的“新建碳化硅封测建设项目”主体结构正式封顶。
台积电南科工厂3nm部分产线有望转为2nm
台湾经济日报消息，台积电2nm客户需求强劲，为应对长期需求，2nm相关扩充产能计划将导入南科工厂，以制程升级挪出空间。
甬矽电子募资11.65亿元加码先进封装项目
7月14日，甬矽电子发布发布向不特定对象发行可转换公司债券上市公告书。经上交所、证监会同意，该可转债将于7月16日起在上交所挂牌交易，募集资金总额为11.65亿元。
日月光推出具备TSV的FOCoS-Bridge先进封装技术
据台媒报道，日月光宣布推出具备硅通孔(TSV)的扇出型基板上晶片桥接技术(FOCoS-Bridge)，推动人工智慧(AI)技术发展，并加速AI对全球生活的深远影响。
ASML：将获台积电“大量”2nm相关订单
据消，ASML首席财务官罗杰·达森(Roger Dassen)称，将于第二、三季度开始获得台积电“大量”(significant)2nm相关订单。ASML此前曾表示，得益于智能手机和人工智能使用的尖端逻辑芯片的需求旺盛，其2025年销售额目标为300亿至400亿欧元。
长电科技78亿将投建上海临港新片区高端先进封测工厂
长电科技新建产能整体围绕人工智能为核心的产业需求，重点服务算力、存力、电力等维度对先进封装的要求。长电科技布局的先进封装既包括市场关注度较高的2.5D及3D晶圆级封装，也涵盖以异质异构集成为核心的高密度3D系统级封装。
半导体用SiC部件材料研发制造基地项目落户惠山经开区
据“无锡惠山发布”公众号消息，8月27日，半导体用SiC部件材料研发制造基地项目落户惠山经开区。
长光华芯申请高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法专利，有效提高评估结果准确度
天眼查知识产权信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司申请一项名为“高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法“，公开号CN202410534321.3，申请日期为2024年4月。
佰维存储：向特定对象发行A股申请获上交所审核通过
佰维存储2月11日发布公告称，公司已收到上海证券交易所出具的《关于深圳佰维存储科技股份有限公司向特定对象发行股票的交易所审核意见》，具体意见为公司向特定对象发行股票申请符合发行条件、上市条件和信息披露要求，将在收到公司申请文件后提交中国证监会注册。
创意电子推出全球首款HBM4 IP，采用台积电N3P制程
据报道，中国台湾地区芯片服务企业GUC创意电子日前宣布，其成功利用台积电最先进N3P制程和CoWoS-R先进封装完成全球首款HBM4 IP的流片。
工信部：开展车用芯片、操作系统、高精度传感器等技术攻关
4月19日至21日，工业和信息化部党组成员、副部长辛国斌在上海调研时表示，开展车用芯片、固态电池、操作系统、高精度传感器等技术攻关
美国半导体协会反对新一轮芯片出口禁令
受美国拜登政府计划对人工智能芯片出口实施新限制措施消息的影响，1月10日美股开盘后，英伟达股价大跌超3%，AMD股价大跌近6%
三星3nm移动应用处理器实现首次流片
据业内人士透露，三星已完成3nm移动应用处理器(AP)的设计，并通过其代工部门实现首次流片。
马来西亚协会主席：建议与中国建立联合研发中心
据媒体报道，11月18日，马来西亚半导体行业协会主席邝瑞强在第二十一届中国国际半导体博览会开幕式上表示，为了深化中国、马来西亚以及东南亚之间的半导体合作，马来西亚和中国可以建立联合研发中心，专注于AI芯片、低功能设计、5G以及互联网等新兴技术，推动半导体创新的发展。
我国科学家在“连续变量”集成光量子芯片领域实现新突破
据新华网报道，我国量子科技研究迎来突破性进展。《自然》杂志2月20日发布一项重要研究成果，我国科研团队成功实现全球首例基于集成光量子芯片的“连续变量”量子纠缠簇态。
